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ON Semiconductor FQA13N80-F109

MFG-Teilenummer
FQA13N80-F109
verfügbare Anzahl
32060 Stücke
Referenzpreis
USD 4.928
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FQA13N80-F109 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQA13N80-F109
Zukünftige Teilenummer FT-FQA13N80-F109
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQA13N80-F109 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-3PN
Paket / fall TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQA13N80-F109 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQA13N80-F109-FT

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