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ON Semiconductor FQA6N80_F109
- MFG-Teilenummer
- FQA6N80_F109
- verfügbare Anzahl
- 27040 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- QFET® MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FQA6N80_F109.pdf
FQA6N80_F109 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FQA6N80_F109 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FQA6N80_F109 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | QFET® |
| FQA6N80_F109 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 185W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQA6N80_F109 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FQA6N80_F109-FT |
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