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Herstellerteilenummer | FQD10N20CTM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQD10N20CTM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQD10N20CTM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD10N20CTM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQD10N20CTM-FT |
ZVP0120ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP1320A
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106AS
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOB
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel