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ON Semiconductor FQD9N25TM-F080

Name: FQD9N25TM-F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD9N25TM-F080
Price: 0.48812 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (761 reviews)

MFG-Teilenummer: FQD9N25TM-F080

verfügbare Anzahl: 40530 Stücke

Referenzpreis: USD 0.48812

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQD9N25TM-F080.pdf

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FQD9N25TM-F080 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQD9N25TM-F080
Zukünftige Teilenummer	FT-FQD9N25TM-F080
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQD9N25TM-F080 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD9N25TM-F080 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQD9N25TM-F080-FT

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