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Herstellerteilenummer | FQNL2N50BBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQNL2N50BBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQNL2N50BBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 350mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQNL2N50BBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQNL2N50BBU-FT |
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R060P7XKSA1
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IPZA60R037P7XKSA1
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