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FQP13N10L Image

ON Semiconductor FQP13N10L

MFG-Teilenummer
FQP13N10L
verfügbare Anzahl
81280 Stücke
Referenzpreis
USD 1.032
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQP13N10L.pdf
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FQP13N10L Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQP13N10L
Zukünftige Teilenummer FT-FQP13N10L
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQP13N10L Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP13N10L Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQP13N10L-FT

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