Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQP30N06L
Herstellerteilenummer | FQP30N06L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQP30N06L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQP30N06L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP30N06L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQP30N06L-FT |
FQPF4N90
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FQPF4N90CT
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
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LFE2M70SE-6F900I
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation