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ON Semiconductor FQP6N60C_F080

Name: FQP6N60C_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP6N60C_F080
Availability: InStock
Rating: 4.9 (640 reviews)

MFG-Teilenummer: FQP6N60C_F080

verfügbare Anzahl: 94200 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQP6N60C_F080.pdf

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FQP6N60C_F080 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQP6N60C_F080
Zukünftige Teilenummer	FT-FQP6N60C_F080
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQP6N60C_F080 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP6N60C_F080 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQP6N60C_F080-FT

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