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ON Semiconductor FQP6N60C_F080

MFG-Teilenummer
FQP6N60C_F080
verfügbare Anzahl
94200 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FQP6N60C_F080 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQP6N60C_F080
Zukünftige Teilenummer FT-FQP6N60C_F080
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQP6N60C_F080 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP6N60C_F080 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQP6N60C_F080-FT

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