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Herstellerteilenummer | FQPF12P10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF12P10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF12P10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF12P10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF12P10-FT |
FDPF770N15A
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AGLE3000V5-FG484
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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