Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQPF4N80
Herstellerteilenummer | FQPF4N80 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF4N80 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF4N80 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF4N80 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF4N80-FT |
FCPF7N60T
ON Semiconductor
FCPF850N80Z
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FDPF10N50UT
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ICE40UP5K-SG48I
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XC3S250E-5PQ208C
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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