Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQPF5N40
Herstellerteilenummer | FQPF5N40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF5N40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF5N40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 400V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF5N40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF5N40-FT |
GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
Global Power Technologies Group
GP2M012A060H
Global Power Technologies Group
GP2M020A050H
Global Power Technologies Group
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
FCH76N60NF
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel