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FQPF7N65CYDTU Image

ON Semiconductor FQPF7N65CYDTU

MFG-Teilenummer
FQPF7N65CYDTU
verfügbare Anzahl
71200 Stücke
Referenzpreis
USD 1.976
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQPF7N65CYDTU.pdf
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FQPF7N65CYDTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQPF7N65CYDTU
Zukünftige Teilenummer FT-FQPF7N65CYDTU
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQPF7N65CYDTU Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1245pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / fall TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF7N65CYDTU Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQPF7N65CYDTU-FT

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