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Herstellerteilenummer | FQPF8N80CYDTU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF8N80CYDTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF8N80CYDTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 59W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF8N80CYDTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF8N80CYDTU-FT |
FQI5N15TU
ON Semiconductor
FQI5N20LTU
ON Semiconductor
FQI5N20TU
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FQI5N30TU
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FQI5N40TU
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FQI5N50CTU
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