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ON Semiconductor FQT1N60CTF-WS
- MFG-Teilenummer
- FQT1N60CTF-WS
- verfügbare Anzahl
- 27440 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.23772
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- QFET® MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FQT1N60CTF-WS.pdf
FQT1N60CTF-WS Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FQT1N60CTF-WS |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FQT1N60CTF-WS |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | QFET® |
| FQT1N60CTF-WS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQT1N60CTF-WS Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FQT1N60CTF-WS-FT |
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