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ON Semiconductor FQU2N100TU

Name: FQU2N100TU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQU2N100TU
Price: 0.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (86 reviews)

MFG-Teilenummer: FQU2N100TU

verfügbare Anzahl: 52550 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQU2N100TU.pdf

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FQU2N100TU Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQU2N100TU
Zukünftige Teilenummer	FT-FQU2N100TU
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQU2N100TU Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU2N100TU Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQU2N100TU-FT

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