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ON Semiconductor FQU2N100TU

MFG-Teilenummer
FQU2N100TU
verfügbare Anzahl
52550 Stücke
Referenzpreis
USD 0.992
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FQU2N100TU Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQU2N100TU
Zukünftige Teilenummer FT-FQU2N100TU
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQU2N100TU Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU2N100TU Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQU2N100TU-FT

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