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ON Semiconductor FQU9N25TU
- MFG-Teilenummer
- FQU9N25TU
- verfügbare Anzahl
- 54290 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.184
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- QFET® MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FQU9N25TU.pdf
FQU9N25TU Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FQU9N25TU |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FQU9N25TU |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | QFET® |
| FQU9N25TU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQU9N25TU Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FQU9N25TU-FT |
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