Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FS100R12KT4GB11BOSA1
Herstellerteilenummer | FS100R12KT4GB11BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FS100R12KT4GB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FS100R12KT4GB11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100A |
Leistung max | 515W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KT4GB11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FS100R12KT4GB11BOSA1-FT |
FPF2C110BI07AS2
ON Semiconductor
FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor
FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor
VS-40MT120UHAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
FAM65V05DF1
ON Semiconductor
F3L300R07PE4PBOSA1
Infineon Technologies
F4100R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel