Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FS100R17N3E4B11BOSA1
Herstellerteilenummer | FS100R17N3E4B11BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FS100R17N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FS100R17N3E4B11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100A |
Leistung max | 600W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R17N3E4B11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FS100R17N3E4B11BOSA1-FT |
VS-40MT120UHAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
FAM65V05DF1
ON Semiconductor
F3L300R07PE4PBOSA1
Infineon Technologies
F4100R17ME4B11BPSA1
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F4150R17ME4B11BPSA1
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F4250R17MP4B11BPSA1
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FF150R12MS4GBOSA1
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FF225R17ME4B11BOSA1
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FF225R17ME4BOSA1
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FF600R17ME4B11BOSA1
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A3P030-QNG68
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A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
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XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation