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Herstellerteilenummer | FYP2006DNTU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FYP2006DNTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FYP2006DNTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FYP2006DNTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FYP2006DNTU-FT |
DSSK80-003B
IXYS
DSSK20-0045AM
IXYS
BAT 15-07LRH E6327
Infineon Technologies
BAT 15-098LRH E6327
Infineon Technologies
BAS 16-07L4 E6327
Infineon Technologies
IDP20C65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP30C65D2XKSA1
Infineon Technologies
SDP20S30
Infineon Technologies
BAV99SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel