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Herstellerteilenummer | FYP2010DNTU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FYP2010DNTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FYP2010DNTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FYP2010DNTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FYP2010DNTU-FT |
BAV99SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6827XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAV 70S E6433
Infineon Technologies
BAV 99S H6827
Infineon Technologies
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel