Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / GB10SLT12-252
Herstellerteilenummer | GB10SLT12-252 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GB10SLT12-252 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GB10SLT12-252 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 10A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-252 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GB10SLT12-252-FT |
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW15E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW100E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel