Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ10005TB
Herstellerteilenummer | GBJ10005TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ10005TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ10005TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ10005TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ10005TB-FT |
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
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MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
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GBU607 D2G
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GBU407 D2G
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GBU405 D2G
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GBU605 D2G
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GBU807 D2G
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GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC3E-5TN144C
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XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
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EP3C25U256A7N
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5SGXEA7N1F45C2L
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EP20K100CQ240C7ES
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