Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ1002-F
Herstellerteilenummer | GBJ1002-F |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ1002-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ1002-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1002-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ1002-F-FT |
MB254-F
Diodes Incorporated
MB256
Diodes Incorporated
MB3505
Diodes Incorporated
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
MB3510
Diodes Incorporated
MB352
Diodes Incorporated
MB352-F
Diodes Incorporated
MB354
Diodes Incorporated
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel