Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ1006-F
Herstellerteilenummer | GBJ1006-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ1006-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ1006-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1006-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ1006-F-FT |
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
W10G
Diodes Incorporated
RS401L
Diodes Incorporated
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
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LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel