Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ1008-F
Herstellerteilenummer | GBJ1008-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ1008-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ1008-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1008-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ1008-F-FT |
RS401L
Diodes Incorporated
RS402L
Diodes Incorporated
RS402LDI-F
Diodes Incorporated
RS403L
Diodes Incorporated
RS403L-F
Diodes Incorporated
RS404L
Diodes Incorporated
RS404L-F
Diodes Incorporated
RS405L
Diodes Incorporated
RS405L-F
Diodes Incorporated
RS405LDI-F
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel