Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ1008TB
Herstellerteilenummer | GBJ1008TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ1008TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ1008TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1008TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ1008TB-FT |
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
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GBU807 D2G
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GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006 D2G
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GBU2505 D2
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GBU805 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50-4PQG208I
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XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
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A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
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10CX150YF780I6G
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10CL120YF780C8G
Intel