Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ2008TB
Herstellerteilenummer | GBJ2008TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ2008TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ2008TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2008TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ2008TB-FT |
GBU606 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007 D2G
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GBU15L05 D2G
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GBU15L06 D2G
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GBU407HD2G
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GBU607HD2G
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GBU801 D2G
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GBU801HD2G
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GBU802 D2G
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GBU802HD2G
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XC6SLX9-N3FT256I
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XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
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5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
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LFE3-70EA-9FN484I
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