Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ2010-F
Herstellerteilenummer | GBJ2010-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ2010-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ2010-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ2010-F-FT |
DSRHD04-13
Diodes Incorporated
DSRHD06-13
Diodes Incorporated
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel