Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ2010-G
Herstellerteilenummer | GBJ2010-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ2010-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ2010-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ2010-G-FT |
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LBS10-13
Diodes Incorporated
HDS10M-13
Diodes Incorporated
HDS20M-13
Diodes Incorporated
MSB10M-13
Diodes Incorporated
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated
RDBF1510U-13
Diodes Incorporated
RDBF2510-13
Diodes Incorporated
RDBF310-13
Diodes Incorporated
DBF1510U-13
Diodes Incorporated
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel