Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ2010TB
Herstellerteilenummer | GBJ2010TB |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ2010TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ2010TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ2010TB-FT |
MBS8 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel