Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ2508TB
Herstellerteilenummer | GBJ2508TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ2508TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ2508TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 25A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ2508TB-FT |
GBU607HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
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GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
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EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
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XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
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LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel