Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ3501TB
Herstellerteilenummer | GBJ3501TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ3501TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ3501TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 35A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3501TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ3501TB-FT |
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802 D2G
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GBU802HD2G
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A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel