Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ3506TB
Herstellerteilenummer | GBJ3506TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ3506TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ3506TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3506TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ3506TB-FT |
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
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MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-PQG100I
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APA600-BG456
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M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
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EP4CE15E22I7
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XC3090A-7PC84C
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XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
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5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel