Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ3508TB
Herstellerteilenummer | GBJ3508TB |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ3508TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ3508TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 35A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3508TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ3508TB-FT |
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation