Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ3510-F
Herstellerteilenummer | GBJ3510-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ3510-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ3510-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3.6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ3510-F-FT |
SC3BH4
Semtech Corporation
SC3BH4F
Semtech Corporation
SC3BH6F
Semtech Corporation
SC3BJ05F
Semtech Corporation
SC3BJ05FF
Semtech Corporation
SC3BJ10FF
Semtech Corporation
SC3BJ15FF
Semtech Corporation
SC3BJ1F
Semtech Corporation
SC3BJ2
Semtech Corporation
SC3BJ4
Semtech Corporation
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel