Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ601TB
Herstellerteilenummer | GBJ601TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ601TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ601TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ601TB-FT |
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
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GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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