Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBJ602TB
Herstellerteilenummer | GBJ602TB |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-GBJ602TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBJ602TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ602TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBJ602TB-FT |
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel