Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBL06-G
Herstellerteilenummer | GBL06-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBL06-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBL06-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBJ |
Supplier Device Package | GBJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL06-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBL06-G-FT |
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
PBU805
Diodes Incorporated
RS602
Diodes Incorporated
RS605
Diodes Incorporated
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
PBPC1003
Diodes Incorporated
PBPC1004
Diodes Incorporated
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel