Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBU608-G
Herstellerteilenummer | GBU608-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBU608-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBU608-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBU |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU608-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBU608-G-FT |
BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
BR1002SG-G
Comchip Technology
BR1008SG-G
Comchip Technology
KBPC3510-G
Comchip Technology
KBPC5006-G
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KBPC3502-G
Comchip Technology
KBPC3506-G
Comchip Technology
KBPC3504-G
Comchip Technology
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel