Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBU6JL-5000E3/51
Herstellerteilenummer | GBU6JL-5000E3/51 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBU6JL-5000E3/51 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBU6JL-5000E3/51 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3.8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBU |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5000E3/51 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBU6JL-5000E3/51-FT |
G3SBA60L-5702M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel