Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBU808-G
Herstellerteilenummer | GBU808-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBU808-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBU808-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBU |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU808-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBU808-G-FT |
DF210-G
Comchip Technology
DB102-G
Comchip Technology
DB105-G
Comchip Technology
DB101-G
Comchip Technology
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DB104-G
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DF206S-G
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DF206-G
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EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation