Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBU808-G
Herstellerteilenummer | GBU808-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBU808-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBU808-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBU |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU808-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBU808-G-FT |
DF210-G
Comchip Technology
DB102-G
Comchip Technology
DB105-G
Comchip Technology
DB101-G
Comchip Technology
DB103-G
Comchip Technology
DB104-G
Comchip Technology
DB106-G
Comchip Technology
DF206ST-G
Comchip Technology
DF206S-G
Comchip Technology
DF206-G
Comchip Technology
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel