Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBU810GTB
Herstellerteilenummer | GBU810GTB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBU810GTB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBU810GTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU810GTB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBU810GTB-FT |
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
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GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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