Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GBUE2560-M3/P
Herstellerteilenummer | GBUE2560-M3/P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GBUE2560-M3/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GBUE2560-M3/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 4.9A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 12.5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, GBU |
Supplier Device Package | GBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBUE2560-M3/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GBUE2560-M3/P-FT |
GBU6G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4B-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel