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GD25S512MDYIGR Image

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR

MFG-Teilenummer
GD25S512MDYIGR
verfügbare Anzahl
53600 Stücke
Referenzpreis
USD 4.14784
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Kurze Beschreibung
- NOR FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
GD25S512MDYIGR.pdf
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GD25S512MDYIGR Spezifikationen

Herstellerteilenummer GD25S512MDYIGR
Zukünftige Teilenummer FT-GD25S512MDYIGR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GD25S512MDYIGR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NOR
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 2.4ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 8-WSON (6x8)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD25S512MDYIGR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GD25S512MDYIGR-FT

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