Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / GDP30S120B
Herstellerteilenummer | GDP30S120B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GDP30S120B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Amp+™ |
GDP30S120B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 1790pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 135°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30S120B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GDP30S120B-FT |
DPG15I300PA
IXYS
DPG30I300PA
IXYS
DSA15I45PA
IXYS
DSA30I100PA
IXYS
DSA30I150PA
IXYS
DSB20I15PA
IXYS
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
DSEP29-12A
IXYS
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
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EP1S40F780I6
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Intel