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Herstellerteilenummer | GDP60D120B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GDP60D120B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Amp+™ |
GDP60D120B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 135°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP60D120B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GDP60D120B-FT |
DSP8-08A
IXYS
DSA80C100PB
IXYS
DSSK20-015A
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DHG10C600PB
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DHG20C1200PB
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DHG20C600PB
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DPG20C200PB
IXYS
DPG20C300PB
IXYS
DPG20C400PB
IXYS
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel