Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / GDP60Z120E
Herstellerteilenummer | GDP60Z120E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GDP60Z120E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Amp+™ |
GDP60Z120E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 60A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 60A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 3581pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 135°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP60Z120E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GDP60Z120E-FT |
DSA30I150PA
IXYS
DSB20I15PA
IXYS
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
DSEP29-12A
IXYS
DSEP8-06A
IXYS
DSEP8-06B
IXYS
DSS10-0045B
IXYS
DSS10-006A
IXYS
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel