Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / GDZ2V2B-E3-18
Herstellerteilenummer | GDZ2V2B-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GDZ2V2B-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V2B-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 2.2V |
Toleranz | ±4% |
Leistung max | 200mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 100 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 120µA @ 700mV |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V2B-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GDZ2V2B-E3-18-FT |
BZX384C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation