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GE28F320C3BC90 Image

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc GE28F320C3BC90

MFG-Teilenummer
GE28F320C3BC90
verfügbare Anzahl
20550 Stücke
Referenzpreis
USD 4.658848
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
GE28F320C3BC90.pdf
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GE28F320C3BC90 Spezifikationen

Herstellerteilenummer GE28F320C3BC90
Zukünftige Teilenummer FT-GE28F320C3BC90
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
GE28F320C3BC90 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile
Speichergröße 256Mb (8M x 32)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.3V ~ 3V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 90-TFBGA
Supplier Device Package 90-TFBGA (8x13)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GE28F320C3BC90 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer GE28F320C3BC90-FT

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