Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / GHXS010A060S-D1E
Herstellerteilenummer | GHXS010A060S-D1E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-GHXS010A060S-D1E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GHXS010A060S-D1E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS010A060S-D1E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GHXS010A060S-D1E-FT |
VUO62-12NO7
IXYS
VUO62-14NO7
IXYS
VUO62-18NO7
IXYS
VUO82-08NO7
IXYS
VUO82-12NO7
IXYS
VUO82-14NO7
IXYS
VUO82-18NO7
IXYS
VUO62-16NO7
IXYS
VBO52-14NO7
IXYS
VBO72-14NO7
IXYS
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel